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产品简介:
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Micron Technology Inc.(美光科技)生产的MT41K512M16TNA-125 M:E TR是一款存储器产品,具体为DDR4 SDRAM(同步动态随机存取存储器)。以下是该型号的应用场景分析: 1. 服务器和数据中心 - DDR4 SDRAM以其高性能和低功耗特性,广泛应用于服务器和数据中心。MT41K512M16TNA-125能够提供高带宽和稳定性,满足服务器对数据处理速度和可靠性的要求。 - 在云计算、大数据分析和人工智能训练等场景中,这款存储器可以支持快速的数据读写和处理。 2. 网络设备 - 该型号适用于路由器、交换机和其他网络设备,用于缓存和处理大量数据包。其高频率(125 MHz)和低延迟特性能够提升网络设备的性能。 3. 嵌入式系统 - 在工业自动化、医疗设备和汽车电子等嵌入式系统中,MT41K512M16TNA-125可用于实时数据处理和存储。其可靠的性能和耐久性适合在严苛环境下运行。 4. 高性能计算(HPC) - 高性能计算领域需要高效的内存子系统来支持复杂的科学计算和模拟任务。这款DDR4 SDRAM能够提供必要的带宽和容量,满足HPC的需求。 5. 图形处理和游戏 - 虽然主要用于服务器和企业级应用,但该存储器也可用于高端图形处理单元(GPU)或游戏设备,支持快速渲染和流畅的游戏体验。 6. 物联网(IoT)和边缘计算 - 在物联网和边缘计算设备中,这款存储器可以支持本地数据处理和分析,减少对云端的依赖,同时保持高效能表现。 总结来说,MT41K512M16TNA-125 M:E TR适用于需要高性能、低延迟和高可靠性的应用场景,特别是在服务器、网络设备、嵌入式系统和高性能计算等领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR3 SDRAM 8GBIT 800MHZ FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT41K512M16TNA-125 M:E TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 96-FBGA(10x14) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM |
| 存储容量 | 8G(512M x 16) |
| 封装/外壳 | 96-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.283 V ~ 1.45 V |
| 速度 | 800MHz |